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"旋转、堆叠,我不停歇"-- 范德华垂直组装电子器件

2020-11-13
报告题目: "旋转、堆叠,我不停歇"-- 范德华垂直组装电子器件

报告人:韩拯 教授 山西大学

时间:1113号(星期五)16:00

地点:理工楼801报告厅

内容摘要:自上世纪中期金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)首次被演示以来,以互补性金属氧化物半导体(CMOS)电路为核心,硅基半导体“自上而下”的刻蚀、加工等工艺构成了现代计算机技术这座摩天大厦的重要基础。硅基半导体目前已经逼近各种工艺和物理极限,亟需研发新的体系,以期实现尺度更小、性能更丰富的纳米微电子结构。

范德华层状功能材料能够以纳米积木的方式,堆叠、构建新架构,无需晶格匹配即可“自下而上”的垂直组装。该体系近年来迅猛发展,不断在微纳器件的新制造方式、新原理、新范式、新尺寸极限方面取得重要突破。本报告主要介绍我们近期在例如原子尺度FinFET场效应晶体管、各向异性浮栅存储器、二维磁性半导体器件,以及范德华异质结中量子输运的调控等介观器件物理的研究进展,与大家探讨该领域的发展前景和存在的挑战。

报告人简介:韩拯,山西大学 教授,博士生导师,入选国家青年海外人才计划,主要研究方向是介观尺度电子器件的功能调控。近年来在二维磁性材料与器件、新原理与新结构场效应晶体管等方面,做出了一系列原创成果,相关工作在ScienceNature Nanotechnology Nature CommunicationsScience Advances等期刊发表。